Mint ismeretes, a tranzisztos bázis-emitter diódájának jelentős a hőfokfüggése. A hőmérséklet növekedése a félvezetőkben megnöveli a töltéshordozók koncentrációját. 1 fok C-os növekedés hatására 2mV-tal csökken az UBE nyitófeszültség. Ez olyan, mintha a diódára 2 mV-tal nagyobb nyitóirányú feszültséget kapcsolnánk, így a bázisáram megnő, vele együtt az emitteráram is, így a munkapont eltolódik…